A IBM anunciou o desenvolvimento de um novo tipo de Phase Change Memory (PCM) que possui velocidades de leitura e gravação 100 vezes maiores que as da memória flash, não sofre degradação mesmo após milhões de ciclos de gravação (memória flash suporta apenas alguns milhares de ciclos) e é barata o bastante para ser usada em praticamente tudo, desde grandes servidores corporativos até telefones celulares.
A PCM é baseada em uma liga que pode passar por diferentes estados físicos, ou fases, ao controlar o fluxo de eletricidade. No passado, a tecnologia sofria com um problema que causava o relaxamento destes estados, causando um aumento na resistência elétrica com o passar do tempo e por consequência problemas de leitura. Outra limitação era que uma célula baseada nesta liga podia armazenar apenas um único bit.
Agora com os avanços recentes da IBM, estes problemas ficaram para trás. Sua nova variante é mais confiável e pode armazenar mais bits por célula, o que significa que veremos uma mudança de paradigma no mercado de soluções para armazenamento nos próximos anos.
Press release (em inglês)
